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designware ddr 文章 最新資訊

三星擬將iPhone用LPDDR價格環(huán)比上調(diào)超80%

  • 三星電子與SK海力士可能大幅上調(diào)供應(yīng)給蘋果iPhone的LPDDR內(nèi)存價格。據(jù)ZDNet援引業(yè)內(nèi)人士消息，兩家公司已在2026年第一季度與蘋果就LPDDR供貨價格展開談判，并提出顯著漲價要求：三星電子尋求環(huán)比（QoQ）漲幅超過80%，而SK海力士則據(jù)稱要求漲價約100%。報道稱，蘋果作為全球領(lǐng)先的智能手機廠商，歷來憑借其龐大的采購規(guī)模以相對較低的價格獲得LPDDR內(nèi)存。然而，自去年年中以來，內(nèi)存供應(yīng)持續(xù)趨緊，蘋果似乎已難以抵擋整體市場價格上漲的趨勢。因此，三星電子和SK海力士有望在2026年第一季度進一步
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DDR5內(nèi)存現(xiàn)在可能比PlayStation 5還貴

  • 64GB DDR5內(nèi)存的平均價格已飆升至500美元以上。如果你想要128GB的，預(yù)計要花比買電腦更高的價格。價格還在上漲：PC內(nèi)存的價格已經(jīng)高到64GB?DDR5內(nèi)存包輕松超過500美元，甚至超過索尼PlayStation 5。隨著對人工智能數(shù)據(jù)中心的需求持續(xù)侵蝕內(nèi)存供應(yīng)，PC制造商注意到近期價格達到了新的水平。與今年早些時候相比，價格上漲幅度在120%到200%之間，尤其是對于較新的DDR5內(nèi)存。例如，一對32GBDDR5內(nèi)存條（總共64GB）的平均價格已超過600美元，較 PCPartPic
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中國存儲器市場價格每天都在上漲：16GB DDR4模組10月飆升160%

  • 由于內(nèi)存超級周期沒有放緩的跡象，定價已經(jīng)從季度周期轉(zhuǎn)向快速、每月甚至每日調(diào)整。第一財經(jīng)援引中國最大的電子中心深圳華強北的交易員的話報道稱，飆升速度如此之快，就像“每天都有新價格”，這是多年來罕見的速度。DDR4 和 DDR5 引領(lǐng)潮流據(jù)第一財經(jīng)全球報道，從9月開始，內(nèi)存模組價格出現(xiàn)大幅上漲，并一直持續(xù)到現(xiàn)在。具體而言，報告指出，8 月份銷售價格低于 90 元人民幣的 8GB DDR4 模塊在一個月內(nèi)上漲至 100-130 元人民幣，高達 ~44%。據(jù)報道，10月份漲勢加速，16GB DDR4模塊從200元
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DDR 的 PCB布局及走線要求

  • 1. 定義DDR：Double Date Rate 雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器。DDR、DDR2、DDR3常用規(guī)格：2. 阻抗控制要求單端走線控制 50 歐姆，差分走線控制 100 歐姆3. DDR 布局要求通常，根據(jù)器件的擺放方式不同而選擇相應(yīng)的拓撲結(jié)構(gòu)。A、DDR*1 片，一般采用點對點的布局方式，靠近主控，相對飛線 Bank 對稱。間距可以按照是實際要求進行調(diào)整，推薦間距為 500-800mil。B、DDR*2 片，布局相對主控飛線 Bank 對稱，常采用 T 型拓撲結(jié)構(gòu)， 推薦間距如下：等長要求
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電源DDR硬件設(shè)計技巧

  • 1、電源DDR的分類A、主電源VDD和VDDQ主電源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是給IO buffer供電的電源，VDD是給內(nèi)核供電。但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一個電源使用。有的芯片還有專門的VDDL，是給DLL供電的，也和VDD使用同一電源即可。電源設(shè)計時，需要考慮電壓、電流是否滿足要求。電源的上電順序和電源的上電時間，單調(diào)性等。電源電壓的要求一般在±5%以內(nèi)。電流需要根據(jù)使用的不同芯片，及芯片個數(shù)等進行計算。由于DDR的電流一般都比較大，所以PCB設(shè)計時，如果有一個完整的電源平面
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雙倍數(shù)據(jù)速率（DDR）內(nèi)存簡介

  • 了解雙數(shù)據(jù)速率（DDR）存儲器的關(guān)鍵概念和圍繞這一數(shù)字通信技術(shù)的應(yīng)用，其中兩個數(shù)據(jù)字在一個時鐘周期內(nèi)傳輸。串行數(shù)據(jù)傳輸比并行數(shù)據(jù)傳輸具有重要優(yōu)勢，并且在許多系統(tǒng)中，這些優(yōu)勢足夠顯著，足以證明添加串行化和反串行化并行數(shù)據(jù)的電路是合理的，從而可以將其作為串行數(shù)據(jù)傳輸。然而，計算機存儲器是并行數(shù)據(jù)傳輸仍然普遍存在的一個應(yīng)用領(lǐng)域。由于它們可以同時讀取和寫入許多數(shù)字信號，并行接口速度很快，設(shè)計師們一直在尋找使其更快的方法。一種用于實現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸速率的大幅提高的古老但仍然相關(guān)的技術(shù)被稱為雙泵浦，而這一特性正是將存儲器系
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存儲大廠現(xiàn)場展示HBM3E產(chǎn)品

  • 近日，存儲大廠美光科技在GTC 2024活動，展示一系列存儲解決方案。該公司此前剛宣布8層堆疊HBM3E已量產(chǎn)，并預(yù)計2024年第二季搭配NVIDIA H200 GPU出貨。美光展示的解決方案，分別包括8層堆疊24GB HBM3E解決方案與后續(xù)12層36GB HBM3E解決方案；使用單片晶粒具低延遲與低功耗優(yōu)勢的DDR5 RDIMM；支持NVIDIA Grace CPU的LPDDR5X存儲解決方案與LPCAMM2模組；可提供AI與存儲器工作負載所需的容量、頻寬、彈性的CXL存儲器模組，并攜手MemVerg
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集邦咨詢：存儲新技術(shù)DDR、HBM等大放異彩

  • 邁過2023年的經(jīng)濟逆風(fēng)行業(yè)下行周期，2024年存儲市場起勢，存儲芯片價格上漲。為了適配近兩年人工智能熱浪需求，存儲新技術(shù)革新步伐加速，DDR、LPDDR、GDDR新技術(shù)在2024年迎來放量周期；HBM加速邁進，HBM3/HBM3e持續(xù)突破，有望帶動存儲市場迸發(fā)新的活力。一2024是DRAM技術(shù)迸發(fā)活力的一年從1998年三星生產(chǎn)出最早的商用DDR SDRAM芯片，到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延續(xù)，再到今年躍升主流的DDR5，和即將到來的DDR6、DDR7，DRAM技術(shù)還在持續(xù)突破。按照不
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2024年，存儲新技術(shù)DDR、HBM等大放異彩！

  • 邁過2023年的經(jīng)濟逆風(fēng)行業(yè)下行周期，2024年存儲市場起勢，存儲芯片價格上漲。為了適配近兩年人工智能熱浪需求，存儲新技術(shù)革新步伐加速，DDR、LPDDR、GDDR新技術(shù)在2024年迎來放量周期；HBM加速邁進，HBM3/HBM3e持續(xù)突破，有望帶動存儲市場迸發(fā)新的活力。一2024是DRAM技術(shù)迸發(fā)活力的一年從1998年三星生產(chǎn)出最早的商用DDR SDRAM芯片，到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延續(xù)，再到今年躍升主流的DDR5，和即將到來的DDR6、DDR7，DRAM技術(shù)還在持續(xù)突破。按照不同的
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DDR硬件設(shè)計要點

  • 1. 電源 DDR的電源可以分為三類：a主電源VDD和VDDQ，主電源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是給IO buffer供電的電源，VDD是給但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一個電源使用。有的芯片還有VDDL，是給DLL供電的，也和VDD使用同一電源即可。電源設(shè)計時，需要考慮電壓，電流是否滿足要求，電源的上電順序和電源的上電時間，單調(diào)性等。電源電壓的要求一般在±5%以內(nèi)。電流需要根據(jù)使用的不同芯片，及芯片個數(shù)等進行計算。由于DDR的電流一般都比較大，所以PCB設(shè)計時，如果有一個完整的電源平
  • 關(guān)鍵字： DDR  內(nèi)存  

你所需要知道的HBM技術(shù)

  • 在2024年即將到來之際，多家機構(gòu)給出預(yù)測，認定生成式AI將成為2024年的增長重點之一。回顧2023年，年初的ChatGPT引爆了今年的生成式AI熱潮，不僅僅是下游市場的AI應(yīng)用，這股大火一直燒到了上游芯片領(lǐng)域，根據(jù)權(quán)威機構(gòu)預(yù)測，2023年和2024年，AI服務(wù)器將有38%左右的增長空間。隨著GPU等AI芯片走向高峰的同時，也極大帶動了市場對新一代內(nèi)存芯片HBM（高帶寬內(nèi)存）的需求。 HBM是何方神圣？ 首先，我們先來了解一下什么是HBM。HBM全稱為High Bandwich Me
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ROM、RAM、FLASH、DDR、EMMC都是什么？一次性搞清楚！

  • 簡單解釋ROMROM：只讀存儲器，內(nèi)容寫入后就不能更改了，制造成本比較低，常用于電腦中的開機啟動如啟動光盤bios，在系統(tǒng)裝好的電腦上時，計算機將C盤目錄下的操作系統(tǒng)文件讀取至內(nèi)存，然后通過cpu調(diào)用各種配件進行工作這時系統(tǒng)存放存儲器為RAM。PROM：可編程程序只讀存儲器，但是只可以編寫一次。EPROM：可抹除可編程只讀存儲器，可重復(fù)使用。EEPROM：電子式可抹除可編程只讀存儲器，類似于EPROM但是摸除的方式是使用高電場完成。RAMRAM：隨機存取存儲器，也叫主存，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器
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燦芯半導(dǎo)體推出兩項創(chuàng)新技術(shù)用于DDR物理層

  • 一站式定制芯片及IP供應(yīng)商——燦芯半導(dǎo)體日前宣布推出用于高速DDR物理層中的Zero-Latency （零延遲）和True-Adaptive（真自適應(yīng)）兩項技術(shù)。這兩項技術(shù)已經(jīng)開始在12/14 FinFET, 22/28nm的DDR4/LPDDR4,4x高性能物理層IP上進行部署，將為客戶帶來更高效、更穩(wěn)定的全新體驗。 Zero-Latency （零延遲） 技術(shù)在讀數(shù)據(jù)通路上，采用了兩種可選的、獨特的采樣方式進行數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換，而不像其他DDR物理層供貨商采用FIFO進行跨時鐘域轉(zhuǎn)換，此技術(shù)將延遲降低
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7200MHz! DDR4內(nèi)存超頻記錄被刷新

  • 　　DDR4內(nèi)存已經(jīng)誕生了有10年之久，從一開始的2133MHz頻率到后期逐漸站上2400MHz、2666MHz，一直到工藝與電路架構(gòu)升級后，現(xiàn)在民用普遍的3200MHz和性能玩家追捧的4166MHz。可以說這十年以來，DDR4內(nèi)存的頻率也是有了快翻倍的提升。　　而日前，有超頻愛好者將DDR4內(nèi)存的頻率超頻至7200MHz，打破了世界紀錄。該記錄由微星MEG Z590 Unify-X主板創(chuàng)造，超頻內(nèi)存上使用了兩條士頓的HyperX Predator 8GB內(nèi)存，組成16GB雙通道。為了能讓內(nèi)存實現(xiàn)如此高頻
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新思科技與GF合作為12LP+FinFET解決方案開發(fā)DesignWare IP產(chǎn)品組合

  • 要點： 用于GF 12LP+解決方案的DesignWare IP核產(chǎn)品組合包括USB4、PCIe 5.0、Die-to-Die HBI和112G USR/XSR、112G Ethernet、DDR5、LPDDR5、MIPI、OTP NVM等 兩家公司之間的長期合作已成功實現(xiàn)了DesignWare IP核從180納米到12納米的開發(fā)，可應(yīng)用于廣泛領(lǐng)域新思科技（Synopsys, Inc.，納斯達克股票代碼：SNPS）今日宣布與GLOBALFOUNDRIES?（GF?）開展合作，開發(fā)用于G
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